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物理結構

過程密

2088的設計保證即使傳感器膜片損壞或故障時，變送器仍能安全地工作。電子線路側(室)有兩級密封與過程隔離，第三級密封實現(xiàn)了與現(xiàn)場接線端子和導線管入口相隔離。過程密封的設計及其位置使變送器殼體耐壓，并防止過程雜質由接線端子側通過導線管進入。

雙室結構外殼

2088繼承了設計傳統(tǒng)，為雙室外殼設計。雙室外殼令電子線路與外部環(huán)境相隔離，可防止由于環(huán)境潮濕或導線管冷凝損壞變送器。一般不要求導線管密封。另外，即使在傳感器膜頭損壞時，雙室結構也可以保證接線端子及導線管與過程相隔離。

傳感器膜片

隔離膜片將壓力傳給硅壓阻式壓力傳感器，傳感器內充有硅油。對于表壓變送器，傳感器的參考壓力為大氣壓;對于絕壓變送器，傳感器的參考壓力是一個密封的真空參考源。

過程壓力加在傳感器的傳感膜片上，令膜片產生一個微小變形，這會給予傳感器內的惠斯登電橋施加一個應力，使惠斯登電橋產生應變電阻變化，電阻變化被測量,并轉換為一個4~20mA直流電流變化被輸出。

電子線路板模塊

電子線路采用ASIC(專用集成電路)和表面封裝技術。電子板接收傳感器膜頭的經溫度補償的電阻變化信號后，對信號進行修正和線性化，輸出一個直流電流信號。

數顯擴散硅壓力變送器4-20mA傳感器高精度

數顯擴散硅壓力變送器4-20mA傳感器高精度